【機械設計教程】強勢迴歸!2026全網最完整機械設計入門到畢業教程,草履蟲看完都能學會(新手珍藏版)從基礎到實戰案例,全程乾貨無廢話!電機/氣動/公差/半導體 P29 - 退火-15
2026年10月22日
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在上節課的話
我們是講的離子注入
那麼離子注入之後的話
因爲一些離子的話
破壞了它的晶格結構
所以說它就需要用退火
來修復它的結構
好
那麼我們就來看一下退火
它的工藝有哪一些
在芯片製造中
退火工藝無處不在
通過將晶圓加熱到一定溫度
並在此溫度下保持一段時間
然後以恆定的速度冷卻
以達到修復晶格缺陷
促進雜質分佈的目的
晶圓退火工藝
可分爲顱管退火
快速熱退火
RTA激光退火
離子束退火等
目前晶圓廠中最常見的
RTA退火系統
成本適中
均勻性好
能夠在幾秒到幾十秒的
極短時間內
迅速升溫
保溫與冷卻
大大提高了
晶圓退火效率與效果
好
那麼這就是退火的一個流程
那麼退火之後的話
其實我們晶圓就要開始薄膜沉積了
薄膜沉積
好吧
好
那麼本期課的內容到這就結束了
同學們
再見

