物理氣相沉積PVD工藝流程

物理氣相沉積設備的工藝流程開啓於一個高度真空的環境 以常見的蒸鍍爲例，首先將待鍍材料放置於蒸發源 如電阻加熱裝置或電子束蒸發源 當蒸發源被加熱，待鍍材料吸收足夠熱量 從固態轉變爲氣態原子或分子 這些氣態粒子在真空環境中幾乎無阻礙的直線運動 飛向放置在特定位置的基片 在基片表面，氣態粒子逐漸聚集凝結，開始形成薄膜 在濺射沉積這一批PVD的分支中，流程稍有不同 在真空腔體內充入少量惰性氣體，如氬氣 通過施加電場，氬氣被電離成等離子體 其中的氬離子在電場加速下高速撞擊靶材，帶鍍材料製成 靶材原子受撞擊脫離，濺射到基片表面沉積成膜 整個PVD過程需精確控制真空度蒸發源溫度 或濺射功率以及沉積時間等參數 以確保薄膜的厚度均勻性緻密度和附着力等性能達標 從而滿足光學電子等不同領域的應用需求