【半導體工藝】2024最細半導體全套教程!允許白嫖,拿走不謝,全程乾貨無廢話!從頭到尾帶你徹底瞭解芯片半導體工藝! P13 - 第十二講:刻蝕
1 次觀看·2026年8月18日
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大家好
我是清真教育總和老師
那麼本節課的話
我們就來看一下
這個磕石
它到底是怎麼回事
在上一個的話
我們是已經講到了顯影
顯影的話
它就是把光刻膠
被光刻機
刻到的地方
把它給衝解
把它給溶解掉
對吧
好
那麼它把那些地方溶解之後的話
那麼就要磕石了
那麼磕石的話
它是需要磕石機子
好
那麼我們來看一下
這個磕石
它到底是怎麼樣的
第七步磕石
爲了把光刻膠上
已經顯影的東西
刻到芯片裏
我們需要進入下一步了
這就是磕石
磕石其實和顯影有點類似
顯影是在光刻膠上挖坑
磕石是在硅片上挖坑
既然對我們顯影是在光刻膠上挖坑
磕石是在硅片上挖坑
當然的話
它這裏挖的坑
其實是它表面的一層氧化層
二氧化硅
光刻膠上不需要的地方
已經被去掉
露出了下面的硅片
最容易想到的挖坑方式
還是浸泡
我們把整個硅片放到磕石液中
露出來的部分就被溶解掉了
於是光眼膜上的圖像
就被永久的刻到了硅片上
這種通過浸泡來溶解挖坑的方式
叫做施法磕石
施法磕石很簡單
比如各項同性問題
你希望的磕石方式是這樣的
只溶解下面的部分
但磕石液在實際溶解的過程中
可是不分前後左右的
於是最後挖出來的坑
可能是這樣的
這就叫各項同性問題
再比如選擇比的問題
磕石液在溶解硅片的同時
也會溶解光刻膠
只不過一個溶解快
另一個溶解的慢
兩者溶解速度的比值
就叫做選擇比
假設你要在硅片上挖出一個深坑
但是磕石液的選擇比卻不夠大
那麼很可能你坑還沒有挖完呢
周圍的光刻膠已經被溶解乾淨了
於是爲了滿足更高的工藝要求
我們有了幹閥磕石
要做幹閥磕石
你需要一個容器
這個容器叫做反應室
反應室上方有一個圓盤狀的電極
能夠產生射頻電場
在反應室的下方
我們接上負極
同時把晶圓放上去
然後我們從一邊通入反應氣體
反應氣體在射頻作用下
就會被電離成等離子體
等離子體由帶負電的電子
和帶正電的離子組成
於是帶正電的離子
就會被吸引到晶圓這一邊
高速的離子撞擊到晶圓上
就會把晶圓上露出來的部分磕石掉
幹閥磕石因爲反應氣體的不同
會有不同的特點
如果反應氣體是腐蝕性氣體
主要還是靠腐蝕
這種攻擊就是化學攻擊
選擇比會比較好
但是各項同性問題會更嚴重
如果反應氣體是惰性氣體
那就主要是靠高速的離子
把晶圓上的原子撞飛
這就是物理攻擊
各項同性問題可以避免一些
但是這種攻擊屬於無差別攻擊
所以選擇比就會差很多
說到這裏
我們順便說一句
磕石是我們在整個芯片製造流程中
最少被卡脖子的環節之一
中微公司的三納米磕石機
已經能夠量產
具備了在國際市場上
和頂尖廠商掰掰手腕的能力
磕石在芯片製作中有很多作用
它既可以磕出芯片上的溝槽和凸起
也可以磕石掉表面的二氧化硅阻擋層
好在硅晶體中摻雜別的元素
來製造晶體管
我們回頭看看一開始提到的慕斯管
上面這兩塊是施主
也就是n需要摻零
只需要通過摻雜來實現
那麼這就是磕石
那麼磕石其實說白了
它就是一個化學反應
不管是用我們的磕石液來實現
還是說用那種鋼筏磕石來實現
對不對
所以說的話
從原理上來講的話
磕石是比較簡單的
是比較簡單的
所以說我國也很少被卡脖子
對吧
好
那麼本節課的內容到這就結束了
同學們
再見

