【半導體精講】這絕對是2026年講到最好的半導體教程,從工藝概述到半導體設備設計!帶你從零基礎學會半導體知識!少走99%的彎路! P9 - 工藝——氧化

动力洪流
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2026年8月27日
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視頻概述
AI 生成本影片介紹了IC晶圓製造的第一步:氧化製程。透過在矽片表面生成二氧化矽(SiO₂)氧化膜,可提供絕緣保護並防止雜質摻雜。製程主要利用高溫氧化爐與水蒸氣來加速氧化速率,為後續的光刻步驟做好準備。
大家好 我是清晨教育 總和老師
那麼本節課的話 我們就來開始講這個IC晶圓製造了 好吧
那麼我們這個晶圓製造的話 IC製造 其實它的第一步是氧化啊 那麼這個氧化的話 就是在這個
硅片表面啊 生成一層二氧化硅的氧化膜啊
那麼這裏的話 它是需要氧化爐的啊 氧化爐 因爲氧化的話 一般它是需要跟那個空氣反應 對不對
那麼氧化的話 我們一般是用這種有力式和握式兩種啊 兩種 那麼先來給大家來講一下這個氧化它的原理 好吧
第三步氧化
單晶硅是很嬌貴的 爲了避免污染 我們需要給它加一層保護膜 這就是氧化
硅氧化以後得到二氧化硅 它是絕緣體 在芯片製造過程中可以充當絕緣層 避免漏電
同時還可以作爲摻雜阻擋層 阻擋住不需要的摻雜
這一步比較簡單 正常來說 一塊硅片你把它放在哪裏 它就會緩慢氧化 在表面形成一層二氧化硅膜
但是如果你着急 可以把它放到1200度的烤箱中 再通入水蒸氣 氧化速度就會大大加快
到這一步 你擁有了一塊表面鍍膜的硅片
接下來 你再給它塗上一層一微米左右的光刻膠 然後我們就可以進入最重要的環節 光刻
那麼這就是我們氧化的原理 其實也是通過高溫 然後再加上我們的水蒸氣
讓它氧化的過程大大加快 其實在我們的常溫下
它也會氧化 只不過氧化的速率是很慢的 所以我們就利用高溫和水蒸氣來讓它加快氧化
好 那麼這就是我們本節課的內容啊 那麼我們下節課的話 再見
