【半導體教程】強推的半導體工藝教程!從入門到精通,少走99%的彎路!這還學不會,我退出機械圈! P13 - 14.去膠
2026年10月15日
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視頻概述
AI 生成本视频详细讲解了半导体制造中的去胶(Photoresist Stripping)工艺。去胶是光刻工艺的最后一步,旨在清除已完成功能的光刻胶,以确保后续制造工艺不受影响。视频对比了湿法与干法去胶的区别,并分析了该设备的市场格局及国产化替代现状。
在上期課的話 我們是說了磕石啊 那麼磕石之後的話 其實我們這個
芯片表面啊 它需要用光刻的地方的話 它也都被光刻了
對不對 所以說它後面呀 也不需要光刻了 所以說這個光刻膠它就沒用了 對吧
那麼沒用的話 就需要去膠這一步工序啊 那麼去膠
去膠的話 其實它是需要這個晶圓去膠設備 其實它也是
利用這些化學反應 來把這上面的光刻膠把它給去掉
好 那麼我們就一起來看一下 它這裏的去膠到底是怎麼樣的 好吧
去膠是光刻工藝中的最後一步 在磕石離子注入等圖形化工藝完成後
晶圓表面剩餘光刻膠已完成圖形轉移和保護層的功能
通過去膠工藝進行完全清除 避免影響後續集成電路芯片製造工藝效果
去膠工藝可分爲溼法和幹法去膠兩類 溼法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進行溶解
幹法去膠工藝可視爲等離子磕石技術的延伸
主要通過等離子體和薄膜材料的化學反應完成 溼法去膠中使用的溶劑包括有機溶劑以及無機溶劑
有機溶劑主要有丙銅和芳香族的有機溶劑等
而無機溶劑則主要是硫酸和雙氧水等
將光刻膠中的碳元素氧化成爲二氧化碳 把光刻膠從硅片的表面去除 由於溶劑易與金屬反應
因此不適合用魚驢同等製成的去膠
幹法去膠 利用等離子體將光刻膠去除 以使用氧等離子爲例 硅片上的光刻膠通過在氧等離子體中發生化學反應
生成的氣態的一氧化碳 二氧化碳和水分等可以由真空系統抽走
幹法去膠適用於絕大部分的去膠工藝 是當前的主流方案
相較於半導體制成中的其他設備 去膠設備的市場規模相對較小 整體價值量較低
根據Gartner數據 2022年全球集成電路製造幹法去膠設備市場規模爲7億美元左右
近年來 全球集成電路製造幹法去膠設備領域呈現多寡頭競爭的發展趨勢
主要參與者包括一堂半導體 比斯科 日立高新 範林半導體 泰式半導體等
前五大廠商的市場份額合計超過90% 在國際巨頭歷來佔據主導地位的半導體設備領域
一堂半導體憑藉31.29%的市場佔有率位居全球第一
確立了在幹法去膠設備細分市場中國際領先的行業地位
目前去膠設備是我國半導體設備國產化替代中最爲成功的部分
由於幹法去膠設備整體市場規模有限 一堂半導體也在向其他工藝段設備發展 包括快速熱處理設備 幹法刻石設備等
那麼去膠的話 我國的國產替代是比較多的 對吧 爲什麼呢 也是因爲它比較簡單 對不對
也是一些化學反應啊 那麼這就是我們的去膠工藝的講解 那麼本期課的內容到這裏就結束了 同學們再見

